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半導(dǎo)體化學(xué)品

半導(dǎo)體制造在很大程度上是一種與化學(xué)有關(guān)的工藝過(guò)程,高達(dá)20%工藝步驟是清洗和晶圓表面的處理:

我們習(xí)慣將硅片制造中使用的化學(xué)材料稱(chēng)為工藝用化學(xué)品,有不同種類(lèi)的化學(xué)形態(tài)(液態(tài)和氣態(tài))并且要嚴(yán)格控制純度。這些工藝用半導(dǎo)體化學(xué)品主要作用如下:

  1. 用濕法化學(xué)溶液和超純水清洗硅片表面;

  2. 用高能離子對(duì)硅片進(jìn)行摻雜得到P型或N型硅材料;

  3. 淀積不同的金屬導(dǎo)體層及導(dǎo)體層之間必要的介質(zhì)層;

  4. 生成薄的SiO2層作為MOS器件主要柵極介質(zhì)材料;

  5. 用等離子體增強(qiáng)刻蝕或濕法試劑,有選擇的去除材料,并在薄膜上形成所需要的圖形;

液態(tài)高純?cè)噭,其等?jí)根據(jù)純度分為UP-S、UP、EL三個(gè)等級(jí),其中EL又劃分為:

電子級(jí)1級(jí)(EL-Ⅰ)其金屬雜質(zhì)含量為100--1000 PPb,相當(dāng)SEMI C1 C2標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)2級(jí)(EL-Ⅱ)其金屬雜質(zhì)含量為10--100 PPb,,相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)3級(jí)(EL-Ⅲ)其金屬雜質(zhì)含量為1--10 PPb,相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)4級(jí)(EL-Ⅳ)其金屬雜質(zhì)含量為0.1--1PPb,相當(dāng)SEMI C8標(biāo)準(zhǔn);


項(xiàng)目技術(shù)部:0533-3586150   市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部:18653635480

山東省淄博市魯泰大道51號(hào)高分子材料創(chuàng)新園B座409室


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