半導(dǎo)體制造在很大程度上是一種與化學(xué)有關(guān)的工藝過程，高達(dá)20%工藝步驟是清洗和晶圓表面的處理：

我們習(xí)慣將硅片制造中使用的化學(xué)材料稱為工藝用化學(xué)品，有不同種類的化學(xué)形態(tài)（液態(tài)和氣態(tài)）并且要嚴(yán)格控制純度。這些工藝用半導(dǎo)體化學(xué)品主要作用如下：

1. 用濕法化學(xué)溶液和超純水清洗硅片表面；

2. 用高能離子對(duì)硅片進(jìn)行摻雜得到P型或N型硅材料；

3. 淀積不同的金屬導(dǎo)體層及導(dǎo)體層之間必要的介質(zhì)層；

4. 生成薄的SiO2層作為MOS器件主要柵極介質(zhì)材料；

5. 用等離子體增強(qiáng)刻蝕或濕法試劑，有選擇的去除材料，并在薄膜上形成所需要的圖形；

液態(tài)高純?cè)噭�，其等�?jí)根據(jù)純度分為UP-S、UP、EL三個(gè)等級(jí)，其中EL又劃分為：

電子級(jí)1級(jí)（EL-Ⅰ）其金屬雜質(zhì)含量為100--1000 PPb，相當(dāng)SEMI C1 C2標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)2級(jí)（EL-Ⅱ）其金屬雜質(zhì)含量為10--100 PPb,，相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)3級(jí)（EL-Ⅲ）其金屬雜質(zhì)含量為1--10 PPb，相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);

電子級(jí)4級(jí)（EL-Ⅳ）其金屬雜質(zhì)含量為0.1--1PPb，相當(dāng)SEMI C8標(biāo)準(zhǔn);